APT11N80BC3G
Microsemi
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| भाग संख्या | APT11N80BC3G |
|---|---|
| निर्माता | Microsemi |
| विवरण | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| लीड नि: शुल्क स्थिति / RoHS स्थिति | लीड फ्री / RoHS अनुपालन |
| सन्दर्भ मूल्य (अमेरिकी डलरमा) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.472 | $1.987 | $1.81 | $1.466 | $1.236 | |
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Product parameter
| भाग संख्या | APT11N80BC3G |
|---|---|
| निर्माता | Microsemi |
| विवरण | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| लीड नि: शुल्क स्थिति / RoHS स्थिति | लीड फ्री / RoHS अनुपालन |
| मात्रा उपलब्ध छ | 26909 pcs |
| डाटा पाना | Power Products Catalog |
| उत्पादन फोटो | APT11N80BC3G-001.jpg , APT11N80BC3G-002.jpg |
| कोटि | भ्रामक अर्धचालक उत्पादनहरू |
| Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 3.9V @ 680µA |
| Vgs (अधिकतम) | ±20V |
| प्रविधि | MOSFET (Metal Oxide) |
| उपकरण प्याकेज | TO-247 [B] |
| श्रृंखला | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| पावर डिसिपिशन (अधिकतम) | 156W (Tc) |
| प्याकेजिङ | Tube |
| प्याकेज / केस | TO-247-3 |
| अरु नामहरु | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग प्रकार | Through Hole |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| लीड नि: शुल्क स्थिति / RoHS स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट समाईन (सीिस) (अधिकतम) @ Vds | 1585pF @ 25V |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 60nC @ 10V |
| FET प्रकार | N-Channel |
| फीट फीचर | - |
| ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी ऑन) | 10V |
| स्रोत भोल्टेजमा ड्रेन (Vdss) | 800V |
| विस्तृत विवरण | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| वर्तमान - निरंतर ड्रेन (आईड) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 11A (Tc) |
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